m ≥ 2:
Кпк = Umk / U0
Реальные требования по Кп:
1.
Электронный
микроскоп: Кп ≤ 10-5 %.
2.
Генераторы СВЧ: Кп
≤ (10-4 – 10-3) %.
3.
Усилители высоких
частот: Кп ≤ (10-3 – 10-2) %.
Требования к сглаживающим фильтрам:
1.
Не должны
нарушать нормальную работу СЭП:
-
не создавать
недопустимых перенапряжений;
-
не нарушать
работу в переходных режимах.
2.
СФ не должны
обеспечивать требуемый коэффициент сглаживания.
3.
СФ должны иметь
минимальное падение напряжения или минимальную мощность потерь.
4.
СФ должны иметь
резонансную частоту меньшую, чем wп первой гармоники во избежание резонансных явлений.
5.
СФ должны иметь
минимальный объем, массу, стоимость и иметь высокую надежность в работе.
Сглаживающий фильтр – это устройство, которое уменьшает амплитуду
переменной составляющей на выходе схемы управления.
СФ
U0/ U0
Uп/
Uп
Кп вх Кп
вых
Рис. 4.1. Структурная схема сглаживающего фильтра
Параметры сглаживающих фильтров:
1.
Коэффициент
затухания – Кз –
определяет потери в сглаживающем фильтре.
маломощные СФ: Кз
= (1,05 - 1,1);
мощные СФ: Кз =
(1,005 - 1,01).
2.
Коэффициент
сглаживания – Ксгл – это
отношение коэффициента пульсаций на входе к коэффициенту пульсаций на выходе.
.
3.
Коэффициент
фильтрации – Кф.
.
.
Классификация сглаживающих фильтров.
1.
Пассивные
сглаживающие фильтры:
a.
простые пассивные
сглаживающие фильтры:
- простой пассивный LR-фильтр;
- простой пассивный СR-фильтр;
b.
сложные пассивные
сглаживающие фильтры:
- сложные пассивные Г-образные СФ:
·
Г-образный RC-фильтр;
·
Г-образный LC-фильтр;
- сложные пассивные П-образные СФ;
- однозвенные, многозвенные, резонансные СФ;
2.
Активные
сглаживающие фильтры:
a.
транзисторные СФ;
b.
активные СФ на
интегральных микросхемах.
Rн \ Хс
≥ 10 ® u0 = U0 + uп.
Схема:
Рис. 4.2. Схема простого пассивного CR-фильтра
Рис. 4.3. Напряжение на выходе простого пассивного СФ
Uп вых = 0,5 ΔUс
U0 = I0
Rн
Кпвх снимается при отключенной емкости.
Особенности:
1.
Перегрузка
вентилей большим зарядным током конденсатора. Большое обратное напряжение на
вентиле за счет конденсатора.
2.
Внешняя
характеристика устройства имеет ярко выраженный падающий характер, с
увеличением I0 увеличивается емкость конденсатора, что приводит к
увеличению амплитуды тока в цепи вентиля.
Схема:
VD Lф Rф
Тр
~U1 U2
U0 Rн
Рис. 4.4. Схема простого пассивного LR-фильтра
u0/= U0/+ uп/
Эквивалентная схема:
Lф Rф
U/п
Rн
U/0
Особенности:
1.
Более щадящий
режим для вентилей схемы выпрямления.
2.
Недопустимость
резкого изменения сопротивления в цепи потребителя из-за перенапряжений,
возникающих на дросселе.
3.
Зависимость Ксгл
от i0.
Г-образный LC-фильтр |
Г-образный CR-фильтр |
|||
Эквивалентная схема:
Z1
U/п Z2 U/0 Z1 >> Z2 |
||||
Допущения:
Ксгл = m2wc2L1C1
– 1
L ≥ 10Lкр |
R1 ≈ (0.05-0.3)Rн |
L1
C1 C2
Rн
CR-фильтр;
Г-образный LC-фильтр
Рис. 4.5. Схема сложного П-образного LC-фильтра
Выходные характеристики биполярного транзистора:
Iк = f(Uкэ)|Iэ=const
Рис. 4.6. Выходные характеристики транзистора
Транзисторные сглаживающие фильтры различают:
1.
По способу
подключения транзистора относительно потребителя:
-
последовательные
ТСФ;
-
параллельные ТСФ;
2.
По типу цепи
транзистора, в которую подключается потребитель:
-
коллекторные ТСФ;
-
эмиттерные ТСФ;
3.
По способу
питания:
-
прямое питание
транзисторов (от входного сглаженного напряжения);
-
косвенное питание
(когда применяется дополнительный источник постоянного напряжения (тока);
4.
По принципу
действия:
-
ослабляющие ТСФ;
-
компенсационные
ТСФ (напряжение с другой полярностью);
5.
По способу
управления транзистором:
-
ТСФ с управлением
со входа;
-
ТСФ с управлением
с выхода;
-
ТСФ с
комбинированным управлением.
Схема:
Рис. 4.7. Схема КТСФ с фиксированным смещением
IэR1
<< IбR2
Отрицательная обратная связь
по току за счет R1 малоэффективна.
В целом образуется Г-образный
CR-фильтр.
С = С2
Недостатки:
-
очень большое
выходное сопротивление;
-
малый диапазон
рабочих температур ΔТ = (10-20)°С;
-
схема
чувствительна к смене транзистора.
Схема:
R3
+ VT
C1 R2 C2
U0/
Rн
–
Рис. 4.8. Схема последовательного КТСФ с автосмещением
Г-образный CR-фильтр.
При малых токах Iн: rк = R2 ® Ксгл уменьшится в два раза.
При больших токах: rк >>
R2 ® Ксгл уменьшится в (10-30) раз.
Схема:
VT
R1
C1 Rн
Рис. 4.9. Схема последовательного ЭТСФ с однозвенным RC-фильтром
- большое значение
емкости С не выгодно.
Г-образный RC-фильтр.
С = С1
Схема не обеспечивает
требуемый коэффициент сглаживания.
Схема:
+ VT
R2
R1
Rн
С2
С1
-
Рис. 4.10. Схема последовательного ЭТСФ с двухзвенным RC-фильтром
Схема:
VT1
Rэ VT2
Rн
VD Rб C1
Рис. 4.11. Схема последовательного ЭТСФ с нелинейным
сопротивлением
В роли нелинейного
сопротивления выступают Rб, Rэ, VD, VT2.
Г-образный RC-фильтр.
С = С1
1.
ЭТСФ с
однозвенным RC-фильтром: Кф = 30, Ксгл
= 22.
2.
ЭТСФ с
двухзвенным RC-фильтром: Кф = 80, Ксгл
= 58.
3.
ЭТСФ с нелинейным
сопротивлением: Кф = 300, Ксгл = 250.
Особенности ЭТСФ:
1.
Малое выходное
сопротивление (меньше 1 Ом).
2.
Отсутствие
сопротивления между входом и выходом фильтра, что повышает КПД примерно на 20%.
3.
Высокая
температурная стабильность.
4.
Не чувствителен к
смене транзистора.
5.
Нормально
работает при смене тока I0 от 0 до I0макс.
Схема:
R1
VT
C1 R2
Rн
R3
Рис. 4.12. Схема параллельного ТСФ с управлением со
входа
В отличие от предыдущих схем
является компенсационной.
Uп = Uп/ + Uп R3
| Uп/| = | Uп R3| ® Uп ≈ 0 ® Ксгл
® ¥
Uп R3 = К Uп/ ® Ксгл
®1
К = 1 – режим полной
компенсации;
К < 1 – режим
недокомпенсации;
К > 1 – режим
перекомпенсации.
Схема:
VT
C1 Rн
R1
R2
Рис. 4.13. Схема параллельного ТСФ с управлением с
выхода
Режим недокомпенсации.
Ксгл = f(R2)
С увеличением R2
коэффициент сглаживания также увеличивается.
R2опт = Rн
Схема:
R1
VT
C1
R2 Rн
R4 R3
Рис. 4.14. Схема параллельного ТСФ с комбинированным
управлением
ΔUф АСФ
≈ (3 - 5) В - потери на активном фильтре
ΔUф ПСФ
≈ (1 - 2) В - потери на пассивном фильтре
Особенности активных сглаживающих фильтров:
1.
Нормально
работают при низких температурах окружающей среды.
2.
Нормально
работают при низких частотах пульсаций переменной составляющей.
3.
Имеют высокий
коэффициент сглаживания:
Uп вых
≤ 10 мкВ
4.
Обеспечивают
заданный коэффициент сглаживания при изменении тока нагрузки на 100%.
5.
Низкое выходное
сопротивление (меньше 1 Ом).
6.
Имеют более
низкий КПД.
7.
Uп вх ≤ 1 В
8.
Более сложны в
технической реализации и сложны в настройке.
Пусть:
Кф = 500
wп = 628 рад/с.
|
Uвых =
5В, Iн = 1А |
Uвых =
12В, Iн = 1А |
||||
gМ, Вт/кг |
gV, Вт/дм3 |
η, % |
gМ, Вт/кг |
gV, Вт/дм3 |
η, % |
|
Двухзвенный |
9,6 |
11 |
61 |
18,7 |
25 |
79 |
ТСФ |
33 |
23 |
59 |
80 |
50 |
75 |
АСФ на ИМС |
85 |
55 |
50 |
160 |
100 |
70 |